정부·삼성·SK가 손잡았다…차세대 메모리 HBF, 소부장 60곳도 가세

HBM(고대역폭메모리)이 D램 기반으로 AI 가속기의 연산용 메모리를 담당한다면, HBF(High Bandwidth Flash·고대역폭플래시)는 낸드플래시를 여러 층으로 쌓아 대용량 저장과 고대역폭 접근을 동시에 노리는 차세대 메모리 개념이다. 오늘 보도에 따르면 HBF 개발의 핵심 관건은 '발열을 낮추는 것'으로 지목됐는데, 이는 낸드를 HBM처럼 적층해 대역폭을 키우려면 그만큼 열 관리 기술이 뒷받침돼야 하기 때문이다. 삼성전자와 SK하이닉스의 선단공정·생산설비 인프라를 활용해 이 기술적 난제를 검증하겠다는 것이 이번 K-문샷 프로젝트의 핵심 목표로 제시됐다.

K-문샷은 정부가 주도해 혁신 기술을 확보하는 연구·개발(R&D) 사업으로, 이번 보도에 따르면 반도체 부문에만 약 1조원의 예산이 책정됐다. 정부는 삼성전자와 SK하이닉스의 선단공정과 생산설비를 지원받는 방안을 협의 중이며, 두 회사의 핵심 인력을 전진 배치한 R&D위원회도 구성할 계획이다. 다음 달 HBF 연구 로드맵을 확정하고 내년 상반기부터 본격적인 사업에 착수할 예정이라고 밝혀, 구체적인 정부 예산 집행과 기업 참여 계약은 로드맵 확정 이후 순차적으로 공개될 가능성이 크다.

국내 반도체 소재·부품·장비(소부장) 기업 60여 곳이 K-문샷 프로젝트에 참여 의사를 밝혔다는 점은, HBM에 이어 HBF까지 국내 반도체 생태계 전반이 차세대 메모리 표준 선점 경쟁에 조직적으로 결집하고 있다는 신호로 해석할 수 있다. 보도에서 실명이 거론된 주성엔지니어링을 포함해, 향후 정부의 과제 공고와 선발 절차를 거쳐 최종 참여 기업이 확정될 예정이다. 다만 이번 보도는 협력 체계 구성 단계의 발표이며 구체적인 개별 기업의 수주 금액이나 지분 참여 조건은 아직 공개되지 않았다는 점에 유의할 필요가 있다.